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微米級X-Ray檢測設(shè)備確保半導體質(zhì)量

發(fā)布時間：2021-02-26 09:00:00

隨著制造工藝的升級，半導體電路的線寬變得越來越細。當前，**進的是7納米（納米是10億分之一米），正式生產(chǎn)5nm工藝芯片也在議程中。半導體電路越細，性能越好，功耗降低，但是同時生產(chǎn)將非常困難。如果存在較小的缺陷，則不能正常形成半導體電路。

隨著半導體制造工藝的改進，檢測半導體缺陷變得更加困難。微米級電子半導體通常使用X射線實時成像檢查設(shè)備從檢查圖像中查找缺陷位置。但是，由于電子部件越來越小，因此對X射線檢查設(shè)備的分辨率和放大倍數(shù)的要求很高。目前，精度**的半導體CT檢查設(shè)備與X射線設(shè)備的檢測原理相同，但CT設(shè)備的檢測精度會更高，其檢查圖像是三維的，是通過旋轉(zhuǎn)獲得被測物體360度的檢測圖像。通過特定算法將數(shù)十萬個二維數(shù)字成像投影重建為三維體圖像，用戶可以在任何角度觀察和切割三維體積。

CT檢查圖像

X射線檢查設(shè)備主要用于檢測半導體布線處的焊接問題。焊接容易產(chǎn)生虛假焊接和漏焊等缺陷，一旦形成這些缺陷，半導體就容易發(fā)生短路和其他問題。為了正常使用半導體元件，必須在焊接完成后使用X射線缺陷檢測。隨著半導體生產(chǎn)技術(shù)的發(fā)展，X射線檢查設(shè)備也在不斷開發(fā)和升級，并致力于為電子制造商提供高質(zhì)量的檢查設(shè)備。

納米芯片檢查目前無法滿足X射線檢查設(shè)備的檢查要求，但隨著科學技術(shù)的發(fā)展，各種缺陷檢測方法必將出現(xiàn)，以更好地服務(wù)于產(chǎn)品和企業(yè)。

日聯(lián)科技的X射線檢測設(shè)備基于高分辨率成像技術(shù)，在較大工作距離處的高分辨率成像技術(shù)可以對較大和較密的樣品（包括零件和設(shè)備）執(zhí)行無損高分辨率3D成像。此外，可選的平板檢測器可以快速宏觀地掃描大體積樣品，提供定位導航以掃描樣品內(nèi)部感興趣的區(qū)域。日聯(lián)科技秉承誠信，開拓，卓越，“陽光，正直，學習，感恩”的核心價值觀，不斷為客戶和合作伙伴提供專業(yè)，高效，優(yōu)質(zhì)的品牌影響力。