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 第一階段：1980年代之前

主要的包裝技術(shù)是引腳插入（PTH）。其特點(diǎn)是該插孔安裝在PCB上。主要形式是SIP，DIP和PGA。它們的缺點(diǎn)是密度和頻率難以增加，并且難以滿足自動(dòng)化生產(chǎn)中的效率要求。

第二階段：1980年代

表面貼裝封裝的主要特征是引線替換引腳。引線為翼形或D形，并從兩側(cè)或四個(gè)側(cè)面引出。間距為1.27至0.4mm，適用于3-300引線。表面貼裝技術(shù)改變了傳統(tǒng)的PTH。集成電路以細(xì)引線插入物的形式安裝在PCB上。主要形式有SOP（小外形封裝），PLCC（塑料引線芯片載體），PQFP（塑料四方扁平封裝），J引線QFJ和SOJ等。該產(chǎn)品的主要優(yōu)點(diǎn)是薄，引線短，間距小，包裝密度高，電氣性能高，體積小，重量輕，易于自動(dòng)化生產(chǎn)。在封裝密度，I / O數(shù)量和電路頻率方面，它們的缺點(diǎn)仍然很難滿足ASIC和微處理器開(kāi)發(fā)的需求。

第三階段：1990年代的第二次飛躍。

此階段的主要封裝形式為球陣列封裝（BGA），芯片級(jí)封裝（CSP），無(wú)鉛四方扁平封裝（PQFN）和多芯片模塊（MCM）。 BGA技術(shù)使在封裝中占據(jù)更大體積和重量的引腳可以被焊球取代，并大大縮短了芯片與系統(tǒng)之間的連接距離。 BGA技術(shù)的成功開(kāi)發(fā)使一直落后于芯片開(kāi)發(fā)的封裝最終趕上了芯片開(kāi)發(fā)的速度。 CSP技術(shù)解決了小芯片與大封裝之間長(zhǎng)期存在的基本矛盾，并引發(fā)了集成電路封裝技術(shù)的一場(chǎng)革命。

第四階段：21世紀(jì)之后。

包裝組件的原始概念發(fā)生了革命性的變化。目前，全球半導(dǎo)體封裝的主流正處于成熟的第三階段。 PQFN和BGA等主要包裝技術(shù)已投入批量生產(chǎn)，一些產(chǎn)品已開(kāi)始發(fā)展到第四階段。發(fā)行方掌握的WLCSP封裝技術(shù)可以堆疊方式進(jìn)行封裝，發(fā)行方封裝的微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）芯片為三維堆疊式封裝。

       隨著IC封裝技術(shù)的不斷發(fā)展，相應(yīng)的測(cè)試技術(shù)也在不斷發(fā)展，例如普通的AOI測(cè)試，超聲波測(cè)試以及相對(duì)成熟的X射線無(wú)損檢測(cè)。 AOI可以檢查產(chǎn)品的外觀，但不能檢查內(nèi)部；超聲波測(cè)試是一種非破壞性測(cè)試，但缺點(diǎn)是測(cè)試結(jié)果無(wú)法很好地存儲(chǔ)和跟蹤。 X射線成像設(shè)備可以有效克服其他檢測(cè)方法的弊端。該設(shè)備不僅可以檢測(cè)產(chǎn)品的內(nèi)部狀況和缺陷，還具有數(shù)字功能，可以實(shí)現(xiàn)圖像處理和存儲(chǔ)，大大提高了檢查的可追溯性，為分析后的比較結(jié)果提供了有效的解決方案目前，X射線透視成像檢查系統(tǒng)主要用于半導(dǎo)體，SMT，DIP，電子元件測(cè)試，涵蓋IC，BGA，CSP，倒裝芯片等封裝類(lèi)型。它也可用于測(cè)試汽車(chē)零件，鋁壓鑄模塊，LED，電池和光伏行業(yè)以及特殊行業(yè)，具有廣闊的前景。